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2017年度

当社の研究員が発表します学会情報をご紹介いたします。発表資料・投稿等については、著作権の関係で詳細な資料をご紹介できない場合がございます。ご了承ください。

励起波長依存型高感度紫外光電子分光法によるa-IGZO薄膜のギャップ内準位の直接観測

発表日
:2018年3月20日
発表先
:第65回応用物理学会春季学術講演会
概要
:①酸化物半導体の標準材料であるIGZO111に対し、ギャップ内準位を高感度UPSで測定 ②高感度UPSで測定したギャップ内準位に関して硬X線光電子分光のデーターと比較議論した。
発表者
:東海林弘 ※発表者:松崎厚志、佐藤友哉、石井久夫(千葉大学)

Ga2O3保護膜による縦型GaNダイオードの耐圧向上

発表日
:2018年3月18日
発表先
:応用物理学会春季学術講演会
概要
:①Ga2O3保護膜を用いたGaNダイオードの素子構成と基本特性 ②スパッタによる劣化メカニズムと、ダメージの回復方法 ③エミッション顕微鏡を用いたGaNダイオード素子のリーク部位の写真
発表者
:上岡義弘、名古屋大学:出来真斗、本田善雄、天野 浩

植物による高付加価値物質生産

発表日
:2018年3月13日
発表先
:アグリテクノフェア in北海道 
概要
:完全閉鎖型植物工場を使った遺伝子組換え植物利用による高付加価値物質生産の一事例として、ブタ浮腫病用ワクチン生産レタスを紹介した
発表者
:澤田和敏 ※発表者:松村 健(産業技術総合研究所)

硫化物系固体電解質の特徴と抵抗低減に向けた取り組み

発表日
:2018年1月22日
発表先
:平成29年度電池材料研究会
概要
:①電解質融着によるイオン伝導度向上 ②電解質融着による正極層の電荷移動抵抗低減 ③電解質急速加熱によるイオン伝導度向上 の3点について発表
発表者
:樋口弘幸

In-situ放射光X線全散乱計測による硫化物固体電解質の熱処理挙動解析

発表日
:2017年12月7日
発表先
:第43回固体イオニクス討論会
概要
:次世代電池の最有力候補が全固体リチウムイオン二次電池のキーマテリアルは固体電解質である。硫化物系固体電解質はガラスから結晶化させると高イオン伝導性を示す。その熱処理過程を放射光XRDによる調べた。
発表者
:宇都野太、山口展史 ※発表者:尾原幸治、中田謙吾(JASRI)

第一原理分子動力学計算による固体電解質の局所構造とLi拡散機構の関係

発表日
:2017年12月6日
発表先
:第43回固体イオニクス討論会
概要
:次世代電池の最有力候補が全固体リチウムイオン二次電池のキーマテリアルは固体電解質である。硫化物系固体電解質の特徴である高イオン伝導度の計算科学による高イオン導電メカニズム解明を行った。
発表者
:宇都野太、山口展史 ※発表者:高橋 司、大窪貴洋、岩舘康彦(千葉大学)

硫化物系固体電解質Li7P3S11のpCOHP法による結合解析

発表日
:2017年12月5日
発表先
:第43回固体イオニクス討論会
概要
:次世代電池の最有力候補が全固体リチウムイオン二次電池のキーマテリアルは固体電解質である。硫化物系固体電解質の放射光XRDによる構造解析から求めた結晶構造から、第一原理電子状態計算でイオン伝導メカニズムを調べた。
発表者
:宇都野太、山口展史 ※発表者:中田謙吾、尾原幸治(JASRI)

QMSについて

発表日
:2017年11月30日
発表先
:液体クロマトグラフィー研究懇談会研修会での講演
概要
:質量分析装置の質量分離部の一種である、四重極質量分析装置について、その原理、特徴、活用事例等を解説する
発表者
:黒田涼子

“海賊”から受け継いだ出光興産の研究開発

発表日
:2017年11月11日
発表先
:千葉市科学館化学月間での講演
概要
:出光が行っている研究開発の一部を紹介し、出光が今後手がけていく研究を示す
発表者
:鞆津典夫

出光興産における研究開発

発表日
:2017年11月11日
発表先
:科学館
概要
:出光興産の研究がエネルギー、新規材料提案による省エネにどう向かっているかについて紹介した。
発表者
:鞆津典夫

高感度紫外光電子分光法による透明導電性薄膜の電子構造の観測

発表日
:2017年10月17日
発表先
:化学フェスタ2017
概要
:①高感度UPSによる透明導電材料ITOおよび酸化物半導体のギャップ内準位を測定した。②酸化物半導体の標準材料であるIGZO111ではギャップ内に存在するテイル準位を5桁にわたって初めて直接的な観測ができた。③詳しく高感度UPSの測定方法、原理について説明、紹介する。
発表者
:東海林弘  ※発表者:松崎厚志、佐藤友哉、石井久夫(千葉大学)

私のキャリアパスとこれまでの研究開発活動

発表日
:2017年8月31日
発表先
:第35回植物細胞分子生物学会
概要
:企業研究における産官学の連携およびキャリアパスに関して、学生・ポスドクに向けた話題提供
発表者
:横山明日香

High-sensitivity UV photoemission study of amorphous Oxide semiconductor, a-In-Ga-Zn-O

発表日
:2017年7月31日
発表先
:29th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS2017)
概要
:①酸化物半導体のIGZO112に対し、ギャップ内準位の評価を目的に、千葉大石井研が保有する高感度UPSを測定。②同時にHe放電管によるUPSにて、バンド計算で定量化が可能な価電子帯に対して測定を実施し、光電子カウントと電子状態密度の関係を推算した。③①と②を用いて、電子状態密度(DOS)を、価電子帯上端からフェルミ準位にいたる、ギャップ内準位を含むエネルギー領域にて定量評価した。
発表者
:東海林弘、鞆津典夫 千葉大工学部:松崎厚士、石井久夫

Directly Observation of Gap States in Oxide Thin Film by hv-Dependent High-Sensitivity UV Photoemission Spectroscopy

発表日
:2017年7月31日
発表先
:29th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS2017)
概要
:①酸化物半導体のIGZO111に対し、ギャップ内準位の評価を目的に、千葉大石井研が保有する高感度UPSを測定。②同時にHe放電管によるUPSにて、バンド計算で定量化が可能な価電子帯に対して測定を実施し、光電子カウントと電子状態密度の関係を推算した。③①と②を用いて、電子状態密度(DOS)を、価電子帯上端からフェルミ準位にいたる、ギャップ内準位を含むエネルギー領域にて定量評価した。
発表者
:東海林弘 ※発表者:松崎厚士、石井久夫(千葉大工学部)

Improvement of stable gene expression system in lettuce plant

発表日
:2017年6月5日
発表先
:Plant-Based Vaccines, Antibodies & Biologics 2017
概要
:組換え植物を利用した経口ワクチン高生産のための要素技術を紹介した。具体的には、遺伝子発現のための新規プロモーターに関する解析結果を示した。
発表者
:松井健史、澤田和敏、瀧田英司 NAIST:Takako Tsuda, Ko Kato

海賊と呼ばれるか?出光興産における研究開発

発表日
:2017年5月30日
発表先
:高分子学会での企業説明
概要
:出光興産における研究開発の体制と歴史と現状を紹介する中で高分子科学への貢献・今後の研究方針を説明した。
発表者
:鞆津典夫

Selective removal of sulfide compounds from new make spirit using silver-supported zeolite filtration

発表日
:2017年5月29日
発表先
:Worldwide Distilled Spirits Conference(WDSC) 2017
概要
:銀担持ゼオライト(AgY型ゼオライト)をろ過剤とするウィスキーニューポットの精製ろ過方法について検討し、ウィスキーニューポットに含まれる未熟臭原因物質である硫黄化合物を選択的に吸着除去する方法が初めて見出された。
発表者
:村田充子、河島義実 ※発表者:杉本利和、細井健二、朝日 輝(ニッカウヰスキー) 各務成存(生技セ)
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